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本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域。半导体结构包括：衬底、第一介电层、第二介电层和栅极结构，衬底上具有有源区，有源区内设有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区；至少部分第一介电层设在衬底上，并覆盖在部...
该专利属于长鑫集电（北京）存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫集电（北京）存储技术有限公司授权不得商用。

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