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本公开涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成具有交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物，形成穿过层叠物的第一开口，在第一开口中形成阻挡层，在阻挡层中形成数据储存层，形成穿过层叠物的狭缝，通...
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