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本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸...
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