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本发明公开了一种高速DreaMOS器件及其制作方法。所述高速DreaMOS器件包括半导体结构层和与半导体结构层配合的栅氧化层、栅极，所述半导体结构层包括外延层和形成在所述外延层内的阱区、阱区接触区、漏区延伸区及漏区，所述外延层内还形成有多个...
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