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本发明涉及一种新型结构的IGBT芯片及制备方法。所述新型结构的IGBT芯片包括：多个元胞结构；单个元胞结构从上到下依次包括芯片表面区域、芯片内部区域以及芯片背面区域；其中芯片表面区域包括发射极区域和氧化层；芯片内部区域包括多晶硅层、栅极氧化...
该专利属于上海睿驱微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海睿驱微电子科技有限公司授权不得商用。

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