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本发明公开一种低温氧化/氮化处理提高钕铁硼抗蚀性的方法，通过200～400℃的低温氧化/氮化处理，在钕铁硼磁体表面原位生长氧化物、氮化物或氮氧化物薄层，大幅提高磁体的抗蚀性。本方法操作简单，生产成本低，不同于传统电镀和化学镀等方法，是一种绿...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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