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本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上，P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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