温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种GaN基的激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层上表面设有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。