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一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管制造技术
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下载一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管的技术资料
文档序号:33633818
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本发明公开了一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明在TFET控制栅中加入反铁电层带来负电容效应,当满足动态极化匹配条件时栅压放大系数大于1,亚阈值斜率可以得到...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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