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本发明公开了一种InGaN可见光探测器及其制备方法和应用。其InGaN可见光探测器包括从下到上依次设置的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ti3C2等离激元层；缓冲层为从下到上依次设置的AlN层、AlGaN层和GaN层，其中AlN层设置在...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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