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本公开涉及使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法。电阻存储单元包括下部电极、电阻过渡金属氧化物层和上部电极。下部电极包括至少一个下部金属阻挡层、下部金属层以及过渡金属化合物层，其中下部金属层包括具有高于2000摄氏度的熔点的第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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