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一种功率半导体器件及其制备方法，本发明属于功率半导体器件领域，本发明通过引入了对漂移区内电子抽取的穿通型三极管结构降低正面空穴的注入效率，将发射极空穴电流转化为电子漂移电流，不会使导通压降显著增大；另外通过改变正面沟槽的密度和形貌，实现对穿...
该专利属于安建科技（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安建科技（深圳）有限公司授权不得商用。

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