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一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块制造技术
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文档序号:33618138
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本发明提供一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块,能够提升装置工作频率,减小磁元件和整体装置体积,适用范围广泛。包括DAB主电路板、SiC器件、散热器、电感、变压器以及半桥驱动,DAB主电路板上集成有输入检测电路、输出检测电路、控制电...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
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