一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块制造技术

本发明专利技术提供一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，能够提升装置工作频率，减小磁元件和整体装置体积，适用范围广泛。包括DAB主电路板、SiC器件、散热器、电感、变压器以及半桥驱动，DAB主电路板上集成有输入检测电路、输出检测电路、控制电路接口和驱动电路接口；其中，DAB主电路板开设有电感区和变压器区，分别用于放置所述电感和所述变压器，DAB主电路板的输入连接端固定有输入直流滤波电容，DAB主电路板的输出连接端固定有输出直流滤波电容，所述SiC器件与散热器夹持连接，散热器固定设置在所述DAB主电路板一侧，所述半桥驱动与所述散热器相对于DAB主电路板对称设置在所述DAB主电路板的另一侧。主电路板的另一侧。主电路板的另一侧。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块


[0001]本专利技术涉及变压器、整流器和电感器制造
，具体为一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块。

技术介绍

[0002]近年来以碳化硅(Silicon Carbide，SiC)为代表的第三代功率半导体器件(即宽禁带功率半导体器件)飞速发展，其具有开关速度快，损耗低，工作温度高等特点，其性能远超现有的硅功率半导体器件，是构建未来绿色能源的重要基石。随着第三代功率半导体技术的不断成熟，其将从新能源汽车，轨道交通，智能电网和新一代移动通讯等一些重要领域开始，逐步取代现有的硅功率器件，全面推动电力电子技术的进一步发展。目前，在宽禁带功率半导体器件逐渐走向成熟的过程中，器件的应用技术还停留在硅功率器件的阶段，成为制约碳化硅器件性能完全展现的瓶颈性问题。
[0003]双有源桥(Dual Active Bridge，DAB)由于DAB电路具有功率密度高、控制简单以及实现零电压开通较为简单等优点，已成为中高功率电力电子变换器功率传输级的常用拓扑。
[0004]然而传统大功率DAB装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，其特征在于，包括DAB主电路板(1)、SiC器件(6)、散热器(7)、电感(8)、变压器(9)以及半桥驱动(14)，所述DAB主电路板(1)上集成有输入检测电路(10)、输出检测电路(11)、控制电路接口(12)和驱动电路接口(13)；其中，所述DAB主电路板(1)开设有电感区和变压器区，分别用于放置所述电感(8)和所述变压器(9)，所述DAB主电路板(1)的输入连接端(2)固定有输入直流滤波电容(4)，DAB主电路板(1)的输出连接端(3)固定有输出直流滤波电容(5)，所述SiC器件(6)与散热器(7)夹持连接，所述散热器(7)固定设置在所述DAB主电路板(1)一侧，所述半桥驱动(14)与所述散热器(7)相对于DAB主电路板(1)对称设置在所述DAB主电路板(1)的另一侧。2.根据权利要求1所述的一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，其特征在于，所述输入检测电路(10)包括输入电压检测电路，所述输入电压检测电路集成在所述DAB主电路板(1)的输入连接端(2)一侧。3.根据权利要求1所述的一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，其特征在于，所述输出检测电路(11)包括输出电压检测电路和输出电流检测电路，所述输出电压检测电路和输出电流检测电路均集成在所述DAB主电路板(1)的输出连接端(3)一侧。4.根据权利要求1所述的一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，其特征在于，所述输入直流滤波电容(4)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王来利，靳浩源，温浚铎，董晓博，杨成子，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：