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本申请涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括结构本体、沟槽栅区、沟槽导电区、发射极与沟槽掺杂区。结构本体包括第一类材质的基体区、载流子存储区与源区，以及第二类材质的反型阱区。沟槽栅区贯穿源区、反型阱区与载流子存储区并进入到基体区内，沟槽栅区...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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