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本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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