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本申请实施例公开了一种非易失性存储装置，包括：外围电路，外围电路耦接于存储单元阵列，被配置为将第一物理页和第二物理页以缓存编程方式对所述存储单元阵列分别进行相继的第一次编程和第二次编程；外围电路包括分别耦合到位线的多个页缓冲器，每个页缓冲器...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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