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本发明提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片,包括:步骤S1,外置闪存芯片读取待储存数据,将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域,并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记;步骤S2,外置闪存芯片在每次异常掉电后...该专利属于上海宏力达信息技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海宏力达信息技术股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片,包括:步骤S1,外置闪存芯片读取待储存数据,将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域,并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记;步骤S2,外置闪存芯片在每次异常掉电后...