一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片技术

本发明专利技术提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片，包括：步骤S1，外置闪存芯片读取待储存数据，将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域，并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记；步骤S2，外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时，根据操作标记判断存储区域中写入的各数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列：若是，则转向步骤S3；若否，则根据操作标记将各数据块按照预设顺序调整，随后转向步骤S3；步骤S3，读取数据序列中最后一次写入的操作标记对应的数据块，并根据数据块匹配得到待储存数据中尚未写入的各数据块作为待储存数据，随后返回步骤S1。有益效果是提高异常掉电后重新上电的数据恢复成功率。数据恢复成功率。数据恢复成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片


[0001]本专利技术涉及断电保护的
，尤其涉及一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片。

技术介绍

[0002]目前，为了满足使用成本低廉、程序易移植的存储芯片来进行数据存储的需求，人们大多采用闪存芯片(Flash Memory)来读取并储存数据。
[0003]闪存芯片包括嵌入式闪存芯片及外置闪存芯片。由于数据的读取与写入需要一定的时间，在嵌入式闪存芯片存在安装嵌入式闪存芯片的设备断电后，嵌入式闪存芯片的存储区域内的数据丢失甚至错乱的风险。当外置闪存芯片发生异常掉电时，同样存在未被写入外置芯片的存储区域的数据丢失，甚至存储区域内的数据发生错乱的缺陷。此外，在闪存芯片重新上电，并对丢失、错乱的数据进行恢复后，仍存在恢复失败的情况。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法，包括：
[0005]步骤S1，所述外置闪存芯片读取外部的待储存数据，将所述待储存数据中包含的多个数据块依次写入所述外置闪存芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外置闪存芯片的防掉电存储方法，其特征在于，包括：步骤S1，所述外置闪存芯片读取外部的待储存数据，将所述待储存数据中包含的多个数据块依次写入所述外置闪存芯片中对应的存储区域，并在每个所述数据块写入完成后分别向所述存储区域中写入对应的一操作标记；步骤S2，所述外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时，根据所述操作标记判断所述存储区域中写入的各所述数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列：若是，则转向步骤S3；若否，则根据所述操作标记将各所述数据块按照所述预设顺序调整形成所述数据序列，随后转向步骤S3；步骤S3，读取所述数据序列中最后一次写入的所述操作标记对应的所述数据块，并根据所述数据块匹配得到所述待储存数据中尚未写入的各所述数据块，将尚未写入的各所述数据块作为所述待储存数据，随后返回所述步骤S1。2.根据权利要求1所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述操作标记包括用于表征所述数据块写入完成的唯一标识及用于表征所述数据块的数据写入次序的一序号；则所述步骤S2中根据所述唯一标识及所述序号表征的顺序值判断所述存储区域中写入的各所述数据块是否按照所述预设顺序排列形成所述数据序列。3.根据权利要求1所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述存储区域包括多个扇区，每个所述扇区包括多个存储地址，则所述步骤S1中，每次写入所述数据块之前，还包括向所述数据块分配对应的所述存储地址。4.根据权利要求3所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述步骤S3还包括，读取所述数据序列中最后一次写入的所述操作标记的所述存储地址，并将所述存储地址的下一所述存储地址作为所述待储存数据中尚未写入的各所述数据块的起始地址。5.根据权利要求3所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述步骤S1中，每次写入所述数据块之前，还包括：步骤A1，判断所述数据块分配得到的所述存储地址是否与上一所述数据块分配得到的所述存储地址位于同一所述扇区内；若是，根据所述存储地址继续写入所述数据块；若否，转向步骤A2；步骤A2，对所述数据块分配到的所述存储地址对应的所述扇区进行块擦除处理，随后根据所述存储地址写入所述数据块。6.根据权利要求2所述的防掉电存储方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐捷，余一凡，肖潇，蒋叶娣，
申请(专利权)人：上海宏力达信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：