温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电层、阻挡层和第二导电层；其中，所述第一导电层包括第一多晶硅层、第一金属层和第二多晶硅层，且所述第一多...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。