温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底，所述基底上具有栅极结构；第一侧墙层，位于所述栅极结构的侧壁上，所述第一侧墙层的顶部表面与所述栅极结构的顶部表面齐平；第二侧墙层，位于所述栅极结构两侧的基底上，所述第二侧墙层的顶部表面与所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。