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本发明公开传感器的晶圆级封装结构及其封装方法,其中封装方法包括:提供第一结构,第一结构包括:衬底,衬底中设有第一空腔;检测结构,设置于衬底上方覆盖第一空腔,检测结构包括敏感单元和电性引出端;在检测结构上形成第一环形围堰,第一环形围堰至少包围...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司授权不得商用。
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本发明公开传感器的晶圆级封装结构及其封装方法,其中封装方法包括:提供第一结构,第一结构包括:衬底,衬底中设有第一空腔;检测结构,设置于衬底上方覆盖第一空腔,检测结构包括敏感单元和电性引出端;在检测结构上形成第一环形围堰,第一环形围堰至少包围...