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本发明的实施例提供了半导体外延结构及其制备方法和半导体器件，涉及微电子技术领域，该半导体外延结构通过在缓冲层中掺杂硅元素，且硅元素的初始掺杂浓度与缓冲层的厚度负相关，Si在缓冲层中通常以施主的形式存在，会释放一个电子，因此在缓冲层中掺杂适量...
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