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在一个实施方式中，方法用于制造光电子半导体芯片(1)并且包括：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且有源区(33)由多个、彼此交替的量子...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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