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本发明公开了一种P型采用InGaN的PIN二极管，主要解决现有GaN PIN二极管P区难以实现有效高掺杂导致性能低的问题。其自下而上包括衬底(1)、N
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该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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