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公开了一种功率半导体器件元胞结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一外延层和第二外延层；位于第一外延层中的第一半导体柱；位于第二外延层中的多个连接区；位于第二外延层表面两侧的体区，且与连接区的上表面接触；位于体区内的源区以及欧姆接触区...
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