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本发明公开了一种多独立栅场效应管及其制备方法，其中，所述多独立栅场效应管包括：设置在绝缘衬底上的源极，漏极，沟道区和栅极结构；所述沟道区连接所述源极和所述漏极；所述栅极结构包括层叠设置的栅介质层和栅电极层；所述栅电极层包括两个以上，互不相交...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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