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本发明提供了一种半导体芯片，其包括MOS晶体管、第一氧化物保护电路和第二氧化物保护电路。第一氧化物保护电路的第一端耦接MOS晶体管的栅极端，第二端用以接收第一地电压，其中第一地电压的噪声电平低于半导体芯片中定义的第二地电压的噪声电平。第二氧...
该专利属于联发科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联发科技股份有限公司授权不得商用。

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