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本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、铁电膜、第一种子层和控制栅极电极。半导体衬底包括形成在半导体衬底的主表面上的源极区和漏极区。绝缘膜形成在半导体衬底的主表面上，使得绝缘膜在平面图中位于源极区与漏极区之间。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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