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通过最小化或消除流向唇形密封件的离子电流来最小化或消除在半导体衬底上电沉积金属期间金属在唇形密封件上的不希望的沉积(唇形密封件镀出)。例如，可以进行电沉积以避免在电镀过程中唇形密封件与半导体衬底上的阴极偏置导电材料接触。这可以通过屏蔽靠近唇...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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