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本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括第一绝缘层、在第一绝缘层中的第一结合焊盘、与第一绝缘层接触的第二绝缘层以及在第二绝缘层中的第二结合焊盘。第一结合焊盘包括第一导电层和围绕第一导电层的第一屏障层，并且第二结合焊盘包...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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