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本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT器件，其包括外延结构，该外延结构包括沿设定方向依次设置的第一、第二、第三半导体层，该第一、第二、第三半导体层的禁带宽度依次增大，该第一、第三半导体层中的任一者与第二半导体层的界面处均形成有二维电子气，并...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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