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一种半导体结构的形成方法，包括：采用第一选择性化学气相沉积工艺，在所述第一开口内形成第一插塞材料层，在所述第二开口内形成第二插塞材料层，且所述第一插塞材料层的顶部表面高于所述第二插塞材料层的顶部表面；对所述第一插塞材料层和第二插塞材料层进行...
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