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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括若干沿第一方向延伸的第一待刻蚀区，第一待刻蚀区包括沿第二方向排布的边缘区和中心区，且所述边缘区位于所述中心区两侧并与所述中心区相邻，基底上具有待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成若干相互分...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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