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一种多芯结构的IGBT吸收电容器制造技术
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文档序号:33508675
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本实用新型提供了一种多芯结构的IGBT吸收电容器,包括芯子和端子引线,还包括壳体,所述芯子设置有至少两组依次并排设于所述壳体内;所述芯子之间通过端子引线进行并联连接,所述端子引线侧面设置有焊接板,所述端子引线的一端插入所述壳体,使得所述焊接...
该专利属于四川中星电子有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川中星电子有限责任公司授权不得商用。
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