一种多芯结构的IGBT吸收电容器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多芯结构的IGBT吸收电容器，包括芯子和端子引线，还包括壳体，所述芯子设置有至少两组依次并排设于所述壳体内；所述芯子之间通过端子引线进行并联连接，所述端子引线侧面设置有焊接板，所述端子引线的一端插入所述壳体，使得所述焊接板分别与所述芯子的两侧端面相焊接固定。本实用新型专利技术通过多芯设计，降低了杂散电感，提高了频率特性，整体电容性能提升，且保证了一个芯子损坏时，仍然能够保证电路板的正常运行。然能够保证电路板的正常运行。然能够保证电路板的正常运行。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯结构的IGBT吸收电容器


[0001]本技术涉及电容器
，具体而言，涉及一种多芯结构的IGBT吸收电容器。

技术介绍

[0002]IGBT吸收电容具有双面金属化薄膜、无感结构、低等效串联电感，可承受较高的du/dt能承受高脉冲电，ESR小，具有自愈性，适用所有IGBT模块区域在开关瞬间产生的尖峰电压的吸收保护，使系统电路稳定运行。目前市场上的IGBT吸收电容器多采用单芯子设计，容量较小，且杂散电感较大，高频特性较差，且单芯电容故障后可能影响电路板正常功能。特别是SiC模块投入使用以来，提高了对电容器的杂散电感和频率特性方面的要求。常规IGBT吸收电容器已难以应对越来越复杂的工控行业需求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种多芯结构的IGBT吸收电容器以提高容量，削弱杂散电感和提高频率特性，增强整体使用性能。
[0004]本技术的实施例通过以下技术方案实现：一种多芯结构的IGBT吸收电容器，包括芯子和端子引线，还包括壳体，所述芯子设置有至少两组依次并排设于所述壳体内；所述芯子之间通过端子引线进行并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯结构的IGBT吸收电容器，包括芯子(3)和端子引线(2)，其特征在于：还包括壳体(1)，所述芯子(3)设置有至少两组依次并排设于所述壳体(1)内；所述芯子(3)之间通过端子引线(2)进行并联连接，所述端子引线(2)侧面设置有焊接板(22)，所述端子引线(2)的一端插入所述壳体(1)，使得所述焊接板(22)分别与所述芯子(3)的两侧端面相焊接固定。2.根据权利要求1所述的多芯结构的IGBT吸收电容器，其特征在于：所述端子引线(2)为直角折弯结构，使得所述端子引线(2)的直角部与所述壳体(1)上端相抵接。3.根据权利要求1所述的多芯结构的IGBT吸收电容器，其特征在于：所述焊接板(22)由两个支板组成，且所述焊接板(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄灵春，伍骞，
申请(专利权)人：四川中星电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：