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本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供一包括阵列区和边缘区的基板；在基板上形成复合层，复合层包括非晶硅层和二氧化硅层，且二氧化硅层位于非晶硅层远离基板的表面；采用第一等离子体对阵列区上的二氧化硅层...
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