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本申请公开了一种长波长LED同质外延结构、其制备方法及应用。所述长波长LED同质外延结构包括：第一导电类型的GaN单晶衬底；以及，依次生长在所述衬底上的缓冲层、弛豫层、应力释放层、多量子阱发光层以及第二导电类型的半导体层。本申请利用GaN单...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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