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本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法。用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液，其由包含以下原料制备而成：改性石墨烯粉、微囊化相变材料、改性二氧化硅粉、聚苯乙烯微球、两性表面活性剂、非离子表面活性...
该专利属于北京通美晶体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京通美晶体技术股份有限公司授权不得商用。

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