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本发明提供了一种含N杂环化合物，具有式Ⅰ所示结构。本发明提供的含N杂环化合物具有合适的HOMO和LUMO值，可以降低注入势垒，有效平衡载流子的传输，并具有高的电子迁移率，优异的稳定性和成膜性，利于提升电子传输速率，平衡电子和空穴注入，提升器...
该专利属于上海天马微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海天马微电子有限公司授权不得商用。

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