一种含N杂环化合物及其在有机发光器件和面板中的应用制造技术

本发明专利技术提供了一种含N杂环化合物，具有式Ⅰ所示结构。本发明专利技术提供的含N杂环化合物具有合适的HOMO和LUMO值，可以降低注入势垒，有效平衡载流子的传输，并具有高的电子迁移率，优异的稳定性和成膜性，利于提升电子传输速率，平衡电子和空穴注入，提升器件发光效率和寿命，降低器件运行电压。降低器件运行电压。

【技术实现步骤摘要】
一种含N杂环化合物及其在有机发光器件和面板中的应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料
，尤其涉及一种含N杂环化合物及其在有机发光器件和面板中的应用。

技术介绍

[0002]传统电致发光器件中使用的电子传输材料是Alq3，但Alq3的电子迁移率比较低(大约在l0
‑6cm2/Vs)，使得器件的载流子传输不均衡。随着电发光器件商业化，人们希望得到电子迁移率更高、使用性能更好的ETL材料，在这一领域，研究人员做了大量的探索性工作。
[0003]设计开发稳定高效的，能够同时具有高电子迁移率和高玻璃化温度，且与金属Yb或Liq有效掺杂的电子传输材料和/或电子注入材料，降低阈值电压，提高器件效率，延长器件寿命，具有很重要的实际应用价值。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种含N杂环化合物及其在有机发光器件和面板中的应用，制备的含N杂环化合物可作为电子传输材料提升器件的发光效率和寿命。
[0005]本专利技术提供了一种含N杂环化合物，具有式I所示结构：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含N杂环化合物，具有式Ⅰ所示结构：其中，X选自O、S、NR1或CR2R3；Z1、Z2和Z3独立的选自N或者C，并且至少含有一个N；L
l
和L2相同或不同，且各自独立的选自取代或未取代的亚芳基或亚杂芳基；所述亚芳基和亚杂芳基的取代基独立的选自亚芳基或亚杂芳基；Ar1、Ar2和Ar3各自独立的选自取代或未取代的芳基或杂芳基；R1、R2和R3各自独立的选自H、取代或未取代的芳基或杂芳基。2.根据权利要求1所述的含N杂环化合物，其特征在于，所述Z1、Z2和Z3中的任意两个为N，或者Z1、Z2和Z3均为N。3.根据权利要求1所述的含N杂环化合物，其特征在于，所述L
l
和L2相同或不同，且各自独立的选自以下任一：a、取代或未取代的单环亚芳基；b、取代或未取代的含1～3个N原子的单环亚杂芳基；c、取代或未取代的由a和/或b稠合形成的稠环基团；所述稠环基团中，含a和/或b的总数为2～3；所述a、b和c的取代基独立的选自单环芳基、单环杂芳基、由单环芳基和/或单环杂芳基稠合形成的稠环基团。4.根据权利要求3所述的含N杂环化合物，其特征在于，所述L
l
和L2相同或不同，且各自独立的选自取代或未取代的亚苯基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚1,2,3
‑
三嗪基，亚1,3,5
‑
三嗪基、亚1,3,4
‑
三嗪基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔啉基、亚1,5
‑
萘啶基或亚1,6
‑
萘啶基；上述基团的取代基选自苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、1,2,3
‑
三嗪基，1,3,5
‑
三嗪基、1,3,4
‑
三嗪基、咔唑基、苯并二呋喃基、苯并二噻吩基或芴基。5.根据权利要求1所述的含N杂环化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2和Ar3各自独立的选自以下任一：a、取代或未取代的单环芳基；b、取代或未取...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆婷婷，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：