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本公开提供了三维存储器及其制备方法、存储系统。根据本公开的一种制备三维存储器的方法包括：在衬底的一侧上形成电介质堆叠结构，电介质堆叠结构包括核心区；在核心区形成贯穿电介质堆叠结构的沟道结构；形成辅助虚拟结构，辅助虚拟结构的至少部分位于核心区...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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