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本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括：提供衬底，衬底包括高压器件区以及低压器件区；在高压器件区上形成第一栅极，在低压器件区上形成第二栅极；至少在第一栅极的裸露表面上以及第二栅极的裸露表面上形成介质层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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