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本发明提供了一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明以化学腐蚀方法为基础，采用光照提供促进腐蚀过程的电子
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该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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