一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明专利技术以化学腐蚀方法为基础，采用光照提供促进腐蚀过程的电子

【技术实现步骤摘要】
一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G移动通讯、轨道交通、光伏发电、高压输变电等领域的迅速发展，人们对具有高耐压、高功率、高耐温、低损耗等性质的高性能电子器件的需求越来越高。β相氧化镓(β
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Ga2O3)作为新一代超宽禁带半导体材料吸引了越来越广泛的关注，其禁带宽度高达4.9eV，远高于Si(1.1eV)，GaAs(1.4eV)，SiC(3.3eV)和GaN(3.4eV)等半导体材料。与此同时，β
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Ga2O3还具有击穿电场强度高、baliga品质因子高、功耗小和深紫外透过等优点，在制造深紫外日盲探测器、MOSEFTs以及肖特基二极管等高性能电子器件领域表现出了良好的发展潜力。然而，由于极性光声子散射方面的不足，β
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Ga2O3的电子迁移率相对较低。为了克服这一问题以实现横向和垂直器件发展的应用前景，半导体衬底图案化成为了一个较好的解决方案。
[0003]目前，干腐蚀法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在氧化镓衬底表面生长金属铝膜层；阳极氧化所述金属铝膜层来制备氧化铝模板，所述氧化铝模板为图案化的纳米级多孔氧化铝模板；在氧化铝模板的纳米级孔洞内沉积贵金属颗粒，去除所述氧化铝模板得到图案化纳米级贵金属颗粒的氧化镓衬底；对氧化镓衬底进行金属辅助光化学腐蚀来形成纳米级图案；去除贵金属颗粒，得到纳米级图案化氧化镓衬底。2.根据权利要求1所述的一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，其特征在于，所述阳极氧化所述金属铝膜层来制备氧化铝模板，所述氧化铝模板为图案化的纳米级多孔氧化铝模板具体包括以下步骤：将所述生长有金属铝膜层的氧化镓衬底在酸性溶液中进行第一次阳极氧化；将洗净的氧化镓衬底放入质量分数为0.5~3wt%的磷铬酸混合液中，以去除不规则的多孔阳极氧化铝层和阳极氧化后剩余的未被氧化的铝；将所述金属铝膜层在酸性溶液中进行第二次阳极氧化；将洗净的氧化镓衬底放入质量分数为1~10wt%的磷酸溶液中，以去除氧化铝阻挡层；得到纳米级多孔氧化铝模板。3.根据权利要求1所述的一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，其特征在于，所述贵金属颗粒包括Ir、Pt、Au、Ni、Rh中的一种及以任意比例形成的合金或金属混合物。4.根据权利要求1所述的一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，其特征在于，在室温、能量高于氧化镓禁带宽度的光源光照下，通过将图案化纳米级贵金属颗粒的氧化镓衬底浸入加有氧化剂的腐蚀液...

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，金竹，刘莹莹，夏宁，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：