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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱，电子阻挡层和第二导电型半导体，本发明通过控制层叠过程中N2/H2/NH3的压强、温度、MO源、流量及比例等方法调控第二导电型半导...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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