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本发明提供一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法，在衬底上形成包含栅氧层及多晶硅层的叠层；刻蚀叠层形成叠层结构；沉积覆盖叠层结构及被暴露出的衬底上的第一侧墙层；刻蚀侧墙层，将叠层结构顶部及衬底上表面暴露，在叠层结构的侧壁形成第一侧墙；在叠层...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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