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本发明涉及一种具有非对称硅纳米颗粒阵列结构的SOI晶圆及制备方法，SOI晶圆包括：硅衬底层、二氧化硅掩埋层以及硅纳米颗粒阵列；纳米颗粒阵列由偶数个基元周期排列构成；单个基元包括两个不同尺寸的长方体纳米颗粒，采用平行排列方式或直线排列方式；在...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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