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本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括将具有形成有凹部的第一膜和掩模的基板搬入第一腔室内的工序、将设基板的温度为200℃以上的工序、向第一腔室内供给含硅反应种并使含硅反应种吸附于凹部的侧壁的工序、向第一腔室内供给含氮反应...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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