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本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种用于集成电路的接触孔的蚀刻结构和方法，本发明的蚀刻结构中的衬底的顶部从下往上依次设有第一介质层和第二介质层，第二介质层的侧向蚀刻率小于第一介质层的蚀刻率，在实际蚀刻时，由于第二介质层的蚀刻速率大于第一介...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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